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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271A-12 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| 中文描述： | 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 42/48頁 |
| 文件大小： | 1000K |
| 代理商： | KM4132G271A-12 |
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KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
0
1
2
3
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6
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19
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Lantency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
*Note :
1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least "1CLK +
t
SS
" prior to Row active command.
3. Cannot violate minimum refresh specification. (16ms)
*Note 1
t
SS
*Note 2
A
9
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
8
t
SS
t
SS
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Ra
ó
ó
Ca
ó
ó
Ra
ó
ó
Qa0
Qa1
Qa2
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
*Note 3
ó
DSF
ó
ó
ó
ó
t
SS
Precharge
Power-down
Exit
: Don't care
Precharge
Read
Row Active
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271A | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271AQ-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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