參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271A-12
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM
中文描述： 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 30/48頁(yè)
文件大小： 1000K
代理商： KM4132G271A-12
KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency - 1] valid output data available after Row
enters precharge. Last valid output will be Hi-Z after
t
SHZ
from the clcok.
3. Access time from Row address.
t
CC
*(
t
RCD
+ CAS latency - 1) +
t
SAC
4. Ouput will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, & 8)
At Full page bit burst, burst is wrap-around.
*Note 1
t
RC
t
RCD
*Note 2
t
RDL
t
RDL
t
SHZ
*Note 4
t
SHZ
*Note 4
t
OH
Qa1
t
RAC
*Note 3
t
SAC
t
SAC
t
RAC
*Note 3
t
OH
Qa1
A
9
A
8
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
Ra
Rb
Qa0
Qa2
Qa3
Qa0
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Db0
Db1
Db2
Db3
Ra
Ca0
Rb
Cb0
WE
DQM
DSF
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
: Don't care
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PDF描述
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