- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373153 > KM4132G271A-12 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271A-12 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| 中文描述： | 128K的x 32Bit的× 2銀行同步圖形內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 21/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 1000K |
| 代理商： | KM4132G271A-12 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當(dāng)前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁
KM4132G271A
CMOS SGRAM
Rev.0 (August 1997)
1. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
2. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only another bank precharge of dual banks operation.
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 2
Note 1
1. t
BPL
: Block write data-in to PRE command delay
2. Number of valid output data after Row Precharge : 1, 2 for CAS Latency =2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
t
RDL
Note 1
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
Note 3
Auto Precharge Starts
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
Pixel
CLK
CMD
DQ
BW
PRE
t
BPL
Note 1
CLK
CMD
DQ
(CL 2, 3)
Pixel
BW
Note 3
Auto Precharge Starts
t
BPL
t
RP
t
BAL
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
*Note :
6. Precharge
1) Normal Write (BL=4)
2) Block Write
3) Read (BL=4)
7. Auto Precharge
2) Block Write
1) Normal Write (BL=4)
3) Read (BL=4)
*Note :
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271A | 128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271A-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271AQ-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM |
| KM4132G271B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。