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參數(shù)資料
| 型號： | KM29N040IT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲器) |
| 中文描述： | 為512k × 8位NAND閃存（為512k × 8位的NAND閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 13/21頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | KM29N040IT |
KM29N040T, KM29N040IT
FLASH MEMORY
13
* Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
0
~
7
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
70H
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
REA
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
RSTO
t
IR
t
RHZ*
t
CHZ*
t
WHR
t
CSTO
READ OPERATION
(READ ONE FRAME)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Dout 32
Column
Address
Row
Address
t
WB
t
AR
t
R
t
CHZ
t
RC
t
RHZ
t
RR
00h
A
0
~ A
7
A
8
~ A
15
A
16
~ A
18
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29N040T | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29N16000AIT | 2Mx8 Bit NAND Flash Memory(2Mx8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29N16000AT | 2Mx8 Bit NAND Flash Memory(2Mx8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29N16000ATS | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器) |
| KM29N32000IT | 4M x 8 Bit NAND Flash Memory(4M x 8位 NAND閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29U128IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U128T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000IT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29U64000T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| KM29V16000AIT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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