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參數(shù)資料
| 型號： | KFN2G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFN2G16Q2M-DED6 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
44
This Read/Write register describes the NAND Flash block address which will be loaded, programmed, or erased.
F100h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DFS
Reserved(00000)
FBA
Device
Number of Block
FBA
2Gb DDP
2048
DFS[15] & FBA[9:0]
1Gb
1024
FBA[9:0]
Start Address1 Information
Register Information
Description
FBA
NAND Flash Block Address
DFS
Flash Core of DDP (Device Flash Core Select)
2.8.10 Start Address2 Register F101h (R/W)
This Read/Write register describes the BufferRAM of DDP (Device BufferRAM Select)
F101h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DBS
Reserved(000000000000000)
Start Address2 Information
Register Information
Description
DBS
BufferRAM of DDP (Device BufferRAM Select)
Comp
Comp
DBS
DFS
DDP_OPT
GND
CE
C
L
SRAM
BUFFER
FLASH
CORE
Comp
Comp
DBS
DFS
DDP_OPT
V
DD
CE
C
L
SRAM
BUFFER
FLASH
CORE
CE
INT
CHIP 1
CHIP 2
INT
INT
2.8.9 Start Address1 Register F100h (R/W)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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