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參數(shù)資料
| 型號： | KFN2G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 120/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFN2G16Q2M-DED6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁當(dāng)前第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
120
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT) an appropriate value can obtained with the following reference charts.
7.1.3 Determining Rp Value
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFG1G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
KFN2G16Q2M @ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.161
tf[ns]
1.238
1.97
2.458
8.73
8.73
8.73
8.73
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.807
3.07
8.73
8.73
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
3.785
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
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PDF描述 |
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