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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16Q2M-DID |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 84/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DID |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
84
Figure 32. Latched Asynchronous Write Mode(AVD toggling)
CE
WE
OE
t
CS
Valid WD
t
DS
VA
Valid WD
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
AAVDS
t
DH
AVD
t
AAVDH
VA
RDY
Hi-Z
Hi-Z
A0-A15
DQ0-DQ15
t
WEA
CLK
V
IL
Case 1 : AVD is toggled every write cycle
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
t
AVDP
t
VLWH
t
CH1
t
CH1
t
CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU |
| KH102 | Analog IC |
| STH5000-200 | Industrial Control IC |
| STQ5000-200 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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