參數(shù)資料
型號(hào)： KFH1G16Q2M-DID
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 29/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFH1G16Q2M-DID
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
29
7.4 Data Buffer size Register(R): F003h, default=0800h
DataBufSize
: total data buffer size in words in the memory interface
Equals two buffers of 1024 words each(2x1024=2
N
, N=11)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DataBufSize
7.5 Boot Buffer size Register (R): F004h, default=0200h
BootBufSize
: total boot buffer size in words in the memory interface
(512 words=2
9
, N=9)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
BootBufSize
7.6 Amount of Buffers Register (R): F005h, default=0201h
DataBufAmount
: the amount of data buffer=2
(2
N
, N=1)
BootBufAmount
: the amount of boot buffer=1
(2
N
, N=0)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DataBufAmount
BootBufAmount
7.7 Technology Register (R): F006h, default=0000h
Tech
: technology information, what technology is used for the memory
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Tech
Tech
Technology
0000h
NAND SLC
0001h
NAND MLC
0002h-FFFFh
Reserved
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFH1G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU
KH102 Analog IC
STH5000-200 Industrial Control IC
STQ5000-200 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFH1G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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