參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR44N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
中文描述： 24 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 156K
代理商： IXFR44N50P
2006 IXYS All rights reserved
IXFR 44N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
IXYS REF: T_44N50P (8J) 03-21-06-B.XLS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
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參數(shù)描述
IXFR44N50Q 功能描述:MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N50Q_03 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class
IXFR44N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N60 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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