參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR44N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
中文描述： 24 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 156K
代理商： IXFR44N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFR 44N50P
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
V
GS
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
- 40oC
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= - 40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
0
20
40
60
80
100
120
140
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
- Volts
0.8
0.9
1
1.1
1.2
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
Q
G
- NanoCoulombs
40
50
60
70
80
90
100
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 22A
I
G
= 10mA
Fig. 11. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
C
f
= 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1
10
100
1,000
10
100
1000
V
DS
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
25μs
1ms
100μs
R
DS(on)
Limit
10ms
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
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參數(shù)描述
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IXFR44N60 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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