參數(shù)資料
型號: IXFR44N50P
廠商: IXYS CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
中文描述: 24 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 156K
代理商: IXFR44N50P
2006 IXYS All rights reserved
IXFR 44N50P
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Case Temperature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
-50
-25
75
100
125
150
C
I
D
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
3
6
9
12
V
DS
- Volts
15
18
21
24
27
30
I
D
V
GS
= 10V
8V
7V
5V
6V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
2
4
6
V
DS
- Volts
8
10
12
14
16
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
5V
Fig. 4. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 22A Value
vs. Junction Temperature
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
R
D
V
GS
= 10V
I
D
= 44A
I
D
= 22A
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to I
D
= 22A Value
vs. Drain Current
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
D
- Amperes
R
D
V
GS
= 10V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR44N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR48N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class
IXFR44N60 HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR44N80P PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFR4N100Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Backside)
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參數(shù)描述
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IXFR44N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube