參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR200N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarTM HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 133 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 565K
代理商： IXFR200N10P
2005 IXYS All rights reserved
IXFR 200N10P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.00
0.01
0.10
1.00
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFR24N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.39Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR26N50Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.20Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR26N60Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓600V,導(dǎo)通電阻250mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFR30N50 HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR30N50Q HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFR200N10P_06 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFR20N100P 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR20N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR20N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR21N100Q 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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