參數(shù)資料
型號(hào)： IXFR200N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarTM HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 133 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 565K
代理商： IXFR200N10P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFR 200N10P
Fig. 11. Capacitance
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
25
50
75
Q
G
- nanoCoulombs
100 125 150 175 200 225 250
V
G
V
DS
= 50V
I
D
= 100A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
50
100
150
200
250
300
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 8. Transconductance
0
20
40
60
80
100
120
140
0
50
100
150
200
250
300
350
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40
o
C
25
o
C
150
o
C
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
10
10
100
1000
1
1
10
10
100
1000
V
D S
- Volts
V
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
o
C
R
DS(on)
Limit
R
10ms
I
D
DC
T
o
C
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PDF描述
IXFR24N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻0.39Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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IXFR20N120P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR20N80P 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFR21N100Q 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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