參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH40N140
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 61K
代理商： IXBH40N140
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
IXBH 40N140
IXBH 40N160
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
t
f
0
10
20
30
40
50
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
t
d
0
100
200
300
400
Single Pulse
IXBH40
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
Fig. 7 Typ. Fall Time
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH40N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N140G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBH40N160 功能描述:IGBT 晶體管 1600V 33A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170A 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH5N160G 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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