參數(shù)資料
型號： IXBH40N140
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXBH40N140
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0.1
1
10
100
V
F
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
F
0
10
20
30
40
50
60
70
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
13V
V
GE
= 17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
IXBH 40N140
IXBH 40N160
Fig. 1 Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3 Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5 Typ. Gate Charge characteristics
Fig. 6
Reverse Based Safe Operating Area
RBSOA
IXBH 40N140
IXBH 40N160
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH40N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N140G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBH40N160 功能描述:IGBT 晶體管 1600V 33A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170A 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH5N160G 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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