參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH40N140
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
中文描述： 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXBH40N140
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXBH 40N140
IXBH 40N160
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
3300
220
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
30
Q
g
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
130
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
200
60
270
40
ns
ns
ns
ns
0.35 K/W
0.25
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
t 300 s, duty cycle d 2 %
2.5
5
V
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 960 V, R
G
= 22
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-247 AD Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH40N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor - N-Channel, Enhancement Mode
IXBH42N170 High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N140G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
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參數(shù)描述
IXBH40N160 功能描述:IGBT 晶體管 1600V 33A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH42N170A 功能描述:IGBT 晶體管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH5N160G 功能描述:IGBT 晶體管 5 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH6N170 功能描述:IGBT 晶體管 12 Amps 1700V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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