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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV51216BLL-70XI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | IS62WV51216BLL-70XI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
9
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ACE1/
t
ACE2
t
LZCE1/
t
LZCE2
t
HZOE
HIGH-Z
DATA VALID
t
HZCS1/
t
HZCS1
ADDRESS
OE
CS1
s
CS2
s
DOUT
LB
s
,
UB
s
t
HZB
t
BA
t
LZB
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 2
(1,3)
(
CS1
,
CS2,
OE
, AND
UB
/
LB
Controlled)
Notes:
1.
WE
is HIGH for a Read Cycle.
2. The device is continuously selected.
OE
,
CS1
,
UB
, or
LB
= V
IL
. CS2=
WE
=V
IH
.
3. Address is valid prior to or coincident with
CS1
LOW transition.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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