- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377571 > IS62WV51216BLL-70XI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV51216BLL-70XI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | IS62WV51216BLL-70XI |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)當(dāng)前第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
11
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
WRITE CYCLE NO. 2
(
WE
Controlled:
OE
is HIGH During Write Cycle)
WRITE CYCLE NO. 3
(
WE
Controlled:
OE
is LOW During Write Cycle)
DATA-IN VALID
DATA UNDEFINED
t
WC
t
SCS1
t
SCS2
t
AW
t
HA
t
PWE
t
HZWE
HIGH-Z
t
LZWE
t
SA
t
SD
t
HD
ADDRESS
OE
CS1
CS2
WE
LB
,
UB
DOUT
DIN
DATA-IN VALID
DATA UNDEFINED
t
WC
t
SCS1
t
SCS2
t
AW
t
HA
t
PWE
t
HZWE
HIGH-Z
t
LZWE
t
SA
t
SD
t
HD
ADDRESS
OE
CS1
CS2
WE
LB
,
UB
DOUT
DIN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV5128BLL-70T2 | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128BLL-70TI | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128ALL | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128ALL-70H | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128ALL-70HI | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV51216EBLL-45BLI | 功能描述:IC SRAM 8MB LP 45NS 48MBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:8M（512K x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-VFBGA（6x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 |
| IS62WV51216EBLL-45TLI | 功能描述:IC SRAM 8MB LP 45NS 44TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:8M（512K x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:44-TSOP II 標(biāo)準(zhǔn)包裝:135 |
| IS62WV5128ALL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128ALL-70BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| IS62WV5128ALL-70H | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。