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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS62WV51216BLL-70XI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | IS62WV51216BLL-70XI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
7
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
IS62WV51216BLL, POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Max.
45
35
40
5
5
Max.
55
30
35
5
5
Max.
70
25
30
5
5
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
Operating Supply
Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
V
DD
= Max.,
CS1
= 0.2V
WE
= V
DD
– 0.2V
CS2 = V
DD
– 0.2V, f = 1
MHZ
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IH
, CS2 = V
IL
,
f = 1 MH
Z
Com.
Ind.
Com.
Ind.
mA
I
CC
1
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
Com.
Ind.
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
mA
OR
ULB Control
V
DD
= Max., V
IN
= V
IH
or V
IL
CS1
= V
IL
, f = 0,
UB
= V
IH
,
LB
= V
IH
V
DD
= Max.,
CS1
≥
V
DD
– 0.2V,
CS2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V, f = 0
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
Com.
Ind.
typ.
(2)
20
25
4
20
25
4
20
25
4
μA
OR
ULB Control
V
DD
= Max.,
CS1
= V
IL
, CS2=V
IH
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
0.2V, f = 0;
UB
/
LB
= V
DD
– 0.2V
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
2. Typical values are measured at V
DD
= 3.0V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
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PDF描述 |
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