參數(shù)資料
型號(hào): IS62WV51216BLL-70XI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述: 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, UUC
封裝: DIE
文件頁數(shù): 2/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商: IS62WV51216BLL-70XI
2
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
PIN CONFIGURATIONS
48-Pin mini BGA (7.2mm x 8.7mm)
PIN DESCRIPTIONS
A0-A18
Address Inputs
I/O0-I/O15
Data Inputs/Outputs
CS1
, CS2
Chip Enable Input
OE
Output Enable Input
WE
Write Enable Input
LB
Lower-byte Control (I/O0-I/O7)
UB
Upper-byte Control (I/O8-I/O15)
NC
No Connection
V
DD
Power
GND
Ground
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
I/O
8
UB
A3
A4
CS1
I/O
0
I/O
9
I/O
10
A5
A6
I/O
1
I/O
2
GND
I/O
11
A17
A7
I/O
3
V
DD`
V
DD
I/O
12
GND
A16
I/O
4
GND
I/O
14
I/O
13
A14
A15
I/O
5
I/O
6
I/O
15
NC
A12
A13
WE
I/O
7
A18
A8
A9
A10
A11
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
A18
A8
A9
A10
A11
A17
44-Pin TSOP (Type II)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IS62WV5128ALL 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV5128ALL-70H 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
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參數(shù)描述
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