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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV51216BLL-70XI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | IS62WV51216BLL-70XI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/24/05
5
IS62WV51216ALL, IS62WV51216BLL
ISSI
AC TEST CONDITIONS
Parameter
62WV51216ALL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.2
5 ns
V
REF
62WV51216BLL
(Unit)
0.4V to V
DD
-0.3V
5ns
V
REF
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Level
Output Load
See Figures 1 and 2
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 1
Figure 2
62WV51216ALL
(1.65V - 2.2V)
62WV51216BLL
(2.5V - 3.6V)
R1(
)
R2(
)
V
REF
3070
1029
3150
1728
0.9V
1.5V
V
TM
1.8V
2.8V
CAPACITANCE
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
8
pF
C
OUT
Input/Output Capacitance
V
OUT
= 0V
10
pF
Note:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
R1
5 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
R1
30 pF
Including
jig and
scope
R2
OUTPUT
VTM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IS62WV5128ALL-70H | 512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IS62WV5128ALL-70H | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
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