參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S83200A
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 256 Mb Synchronous DRAM
中文描述： 256 MB的同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 32/49頁(yè)
文件大?。?/td> 603K
代理商： IS42S83200A
32
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Ta=0 - 70C, Vdd=VddQ=3.3±0.3V,Vss=VssQ=0V, unless otherwise noted)
NOTE:
1. If clock rising time is longer than 1ns,(tr/2-0.5ns) should be added to the parameter.
Output Load Condition
CLK
1.4V
V
OUT
50pF
DQ
1.4V
Output Timing Measurement
Reference Point
CLK
1.4V
tOLZ
DQ
1.4V
tAC
tOH
tOHZ
Symbol
Parameter
Limits
Unit
Note
-6
-7
-75
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
tAC
Access time from CLK
CL=2
6
ns
*1
CL=3
5
5.4
5.4
ns
tOH
Output Hold time
from CLK
CL=2
3
ns
CL=3
2.5
2.7
3
ns
tOLZ
Delay time , output low-
impedance from CLK
0
0
0
ns
tOHZ
Delay time , output high-
impedance from CLK
2.5
5
2.7
5.4
3
5.4
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200A-75T 256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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