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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS42S83200A |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 256 Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256 MB的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 22/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 603K |
| 代理商： | IS42S83200A |
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22
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
[ Write Interrupted by Precharge ]
Burst write operation can be interrupted by precharge of the same bank.Write recovery time(tWR) is
required from the last data to PRE command. During write recovery, data inputs must be masked by DQM.
Write interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQM
DQ
Write
Ya
0
00
ACT
Xa
0
00
Da0
Da1
PRE
0
00
ACT
Xa
0
00
tWR
tRP
[Write Interrupted by Burst Terminate]
Burst terminate command can terminate burst write operation.In this case, the write recovery time is not
required and the bank remains active. WRITE to TBST interval is minimum 1 CLK.
Write interrupted by Terminate (BL=4)
CLK
Command
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
Write
Ya
0
00
ACT
Xa
0
00
Da0
Da1
TBST
Write
Yb
0
00
Db0
Db1
Db2
Db3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42VS16100C1-10TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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