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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S83200A |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 256 Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256 MB的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 28/49頁 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | IS42S83200A |
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28
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
DQM CONTROL
DQM is a dual function signal defined as the data mask
for writes and the output disable for reads. During writes,
DQM(U,L) masks input data word by word. DQM(U,L)
to write mask latency is 0. During reads, DQM(U,L)
forces output to Hi-Z word by word. DQM(U,L) to output
Hi-Z latency is 2.
DQM Function
Write
Read
D0
D2
D3
Q0
Q1
Q3
CLK
Command
DQMU/L
DQ
masked by DQMU/L=H
disabled by DQMU/L=H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42VS16100C1-10TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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