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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16800A1-7TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 34/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | IS42S16800A1-7TL |
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ISSI
34
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev.
00
B
0
5/01
/06
IS42S16800A1
DC Electrical Characteristics
(T
A
= 0 to +70
°
C, V
DD
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
I
I(L)
Input Leakage Current, any input
(0.0V
≤
V
IN
≤
V
DD
), All Other Pins Not Under Test = 0V
-1
+1
μ
A
I
O(L)
Output Leakage Current
(D
OUT
is disabled, 0.0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
)
-1
+1
μ
A
V
OH
Output Level (LVTTL)
Output “H” Level Voltage (
IOUT
= -2.0mA)
2.4
—
V
V
OL
Output Level (LVTTL)
Output “L” Level Voltage (I
OUT
= +2.0mA)
—
0.4
V
DC Output Load Circuit
Output
1200
50pF
3.3 V
870
V
OH
(DC) = 2.4V, I
OH
= -2mA
V
OL
(DC) = 0.4V, I
OL
= 2mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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