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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S16800A1-7TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 15/63頁 |
| 文件大小： | 827K |
| 代理商： | IS42S16800A1-7TL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev.
00
B
0
5/01
/06
15
ISSI
IS42S16800A1
Non-Minimum Write to Read Interval
COMMAND
WRITE A
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2
,
DQs
CAS latency = 2
DIN A
0
t
CK3
,
DQs
CAS latency = 3
DIN A
0
CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Input data for the Write is masked.
Input data must be removed from the DQs at least one clock
cycle before the Read data appears on the outputs to avoid
data contention.
DOUT B
0
DOUT B
1
DOUT B
2
DOUT B
3
DOUT B
0
DOUT B
1
DOUT B
2
DOUT B
3
NOP
DIN A
1
DIN A
1
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800B-7TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6T | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6TL | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800B-6TLI | 16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S16800A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7B | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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