參數(shù)資料
型號(hào): IRF7756
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP
中文描述: 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| P通道| 12V的五(巴西)直| 4.3AI(四)|的TSOP
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商: IRF7756
IRF7756
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
-
G
I =
-4.3A
V
=-6V
DS
V
=-9.6V
DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
400
800
1200
1600
2000
2400
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0.1
1
10
100
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
-D
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7809 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO
IRF7811 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 14A I(D) | SO
IRF7828 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF7F3704 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-205AF
IRF7NA2907 75V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-2 package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7756GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7756TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7756TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7757 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF7757GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance