參數(shù)資料
型號(hào): IRF7756
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP
中文描述: 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| P通道| 12V的五(巴西)直| 4.3AI(四)|的TSOP
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 238K
代理商: IRF7756
IRF7756
www.irf.com
3
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
T = 25 C
J
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
-1.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-0.8V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
-1.2V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-0.8V
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
1
10
100
-D
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = -10V
20μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
-4.5V
-4.3A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7756TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7756TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7757 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
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