參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7811
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 14A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直|第14A條（丁）|蘇
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代理商： IRF7811
www.irf.com
1
IRF7809/IRF7811
IRF7809/IRF7811
Provisional Datasheet
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain or Source
Current (V
GS
≥
4.5V)
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
IRF7809
30
IRF7811
28
Units
V
±12
T
A
= 25°C
T
L
= 90°C
17.6
16.3
100
14
13
100
A
I
DM
P
D
T
A
= 25°C
T
L
= 90°C
3.5
3.0
W
Junction & Storage Temperature Range
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
T
J
,
T
STG
I
S
I
SM
–55 to 150
°C
A
2.5
50
2.5
50
N-Channel Application-Specific MOSFETs
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
New
CopperStrap
TM
Interconnect for Lower
Electrical and Thermal Resistance
Low Conduction Losses
Low Switching Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high
current applications
Description
These new devices employ advanced HEXFET
Power
MOSFET technology to achieve an unprecedented
balance of on-resistance and gate charge. The reduced
conduction and switching losses make them ideal for
high efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of mobile microprocessors.
The IRF7809/IRF7811 employs a new
CopperStrap
TM
interconnect technology pioneered by International
Rectifier to dramatically improve the electrial & thermal
resistance contribution of the package. The new
CopperStrap
SO-8 power MOSFETs are capable of
current ratings over 17A and power dissipation of 3.5W
@ 25
°
C ambient conditions, thereby reducing the need
for paralleled devices, improving efficiency and
reliability and reducing board space.
HEXFET
Chipset for DC-DC Converters
IRF7809
30V
7.5 m
77.5 nC
23.9 nC
30 nC
IRF7811
28V
11 m
23 nC
7 nC
31 nC
V
DS
R
DS
(on)
Q
G
Q
sw
Q
oss
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Lead
Max.
35
20
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
R
θ
JL
Thermal Resistance
DEVICE RATINGS
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
1/19/00
PD - 93812
PD - 93813
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7828 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF7F3704 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-205AF
IRF7NA2907 75V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-2 package
IRF7NJZ44V 60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package
IRF7Y1405CM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-257AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7811A 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811APBF 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811ATR 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7811ATRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 28V 11A 8-Pin SOIC T/R
IRF7811ATRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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