參數資料
型號： IRF7343
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場效應管)
中文描述： 雙N和P通道MOSFET（雙?溝道和P溝道場效應管馬鞍山）
文件頁數： 8/10頁
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代理商： IRF7343
IRF7343
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-3.1A
V
=-12V
DS
V
=-30V
DS
V
=-48V
DS
Fig 21.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 20.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
P-Channel
Fig 22.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
-
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T = P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
1
10
100
0
240
480
720
960
1200
-VDS
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
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