參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7343
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 雙N和P通道MOSFET（雙?溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管馬鞍山）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRF7343
IRF7343
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-3.5V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-3.0V
Fig 14.
Typical Transfer Characteristics
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Fig 15.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
P-Channel
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-3.5V
-3.0V
-VDS
-
D
-3.0V
1
10
100
3
4
5
6
7
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
-4.5V
-12V
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PDF描述
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