參數(shù)資料
型號： IRF7343
廠商： International Rectifier
英文描述： Dual N and P Channel MOSFET(雙 N溝道 和P溝道 MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 雙N和P通道MOSFET（雙?溝道和P溝道場效應(yīng)管馬鞍山）
文件頁數(shù)： 7/10頁
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代理商： IRF7343
IRF7343
Fig 16.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 19.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 18.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
P-Channel
0
2
4
6
8
10
12
0.080
0.120
0.160
0.200
0.240
R
-ID
D
VGS = -4.5V
VGS = -10V
)
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
TJ
R
(
D
V
=
I =
GS
-10V
-3.4 A
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-1.5A
-2.7A
-3.4A
TOP
BOTTOM
R
D
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
2
5
8
11
14
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = -3.4 A
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