參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6638PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大小： 268K
代理商： IRF6638PBF
www.irf.com
7
Fig 18.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
!"#""
"#""& #
$%%
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#$%&&'()%*
'((%)&*
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
D
D
D
D
G
S
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF6655 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
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參數(shù)描述
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IRF6638TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N
IRF6638TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CHANNEL 30V 25A
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IRF6641TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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