參數(shù)資料
型號: IHW20N120R
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述: 反向開展與IGBT的單片體二極管
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 357K
代理商: IHW20N120R
IHW20N120R
Soft Switching Series
Power Semiconductors
9
Rev. 2.4 May 06
I
F
,
F
0.00V
0.25V
0.50V
0.75V
1.00V
1.25V
0A
5A
10A
15A
175°C
T
J
=25°C
V
F
,
F
-50°C
0°C
50°C
100°C
0.0V
0.5V
1.0V
10A
3A
I
F
=20A
V
F
,
FORWARD VOLTAGE
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 22. Typical diode forward voltage
as a function of junction temperature
Figure 21. Typical diode forward current as
a function of forward voltage
相關PDF資料
PDF描述
IHW20T120 Soft Switching Series
IHW30N100R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N120R IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications
IHW30N60T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode
IHW30N90T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IHW20N120R2 功能描述:IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3 功能描述:IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
IHW20N135R3 功能描述:IGBT 1350V 20A 310W TO247-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:TrenchStop™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IHW20N135R3FKSA1 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube