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參數(shù)資料
| 型號： | IHW20N120R |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
| 中文描述： | 反向開展與IGBT的單片體二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 357K |
| 代理商： | IHW20N120R |
IHW20N120R
Soft Switching Series
Power Semiconductors
10
Rev. 2.4 May 06
PG-TO247-3-21
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IHW20N135R3FKSA1 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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