參數(shù)資料
型號(hào)： IHW20N120R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開展與IGBT的單片體二極管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 357K
代理商： IHW20N120R
Thermal Resistance
IHW20N120R
Soft Switching Series
Power Semiconductors
2
Rev. 2.4 May 06
Parameter
Symbol
Conditions
Max. Value
Unit
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction – case
Diode thermal resistance,
junction – case
Thermal resistance,
junction – ambient
Electrical Characteristic,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified
R
thJC
0.42
R
thJCD
0.66
R
thJA
40
K/W
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Static Characteristic
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CES
V
CE(sat)
V
GE
=0V,
I
C
=500
μ
A
V
GE
= 15V,
I
C
=20A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=175
°
C
V
GE
=0V,
I
F
=10A
T
j
=25
°
C
T
j
=125
°
C
T
j
=175
°
C
I
C
=0.7mA,
V
CE
=
V
GE
V
CE
=1200V
,
V
GE
=0V
T
j
=25
°
C
T
j
=175
°
C
1200
-
-
Collector-emitter saturation voltage
-
-
-
1.55
1.75
1.85
1.75
-
-
Diode forward voltage
V
F
-
-
-
1.2
1.2
1.2
1.4
-
-
Gate-emitter threshold voltage
V
GE(th)
5.1
5.8
6.4
V
Zero gate voltage collector current
I
CES
-
-
-
-
-
-
-
5
2500
100
-
μA
Gate-emitter leakage current
Transconductance
I
GES
g
fs
R
Gint
V
CE
=0V,
V
GE
=20V
V
CE
=20V,
I
C
=20A
nA
S
11.5
Integrated gate resistor
none
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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