參數(shù)資料
型號(hào)： IHW20N120R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開(kāi)展與IGBT的單片體二極管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 357K
代理商： IHW20N120R
IHW20N120R
Soft Switching Series
Power Semiconductors
7
Rev. 2.4 May 06
E
,
S
10A
20A
30A
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
4mJ
E
off
E
,
S
510
20
30
40
50
60
70
0.0 mJ
0.5 mJ
1.0 mJ
1.5 mJ
2.0 mJ
2.5 mJ
E
off
I
C
,
COLLECTOR CURRENT
R
G
,
GATE RESISTOR
Figure 13. Typical turn-off energy as a
function of collector current
(inductive load,
T
J
=175°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
R
G
=29
,
Dynamic test circuit in Figure E)
Figure 14. Typical turn-off energy as a
function of gate resistor
(inductive load,
T
J
=175°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
I
C
=20A,
Dynamic test circuit in Figure E)
E
,
S
50°C
100°C
150°C
0mJ
1mJ
2mJ
E
off
E
,
S
400V
500V
600V
700V
800V
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
E
off
T
J
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 15. Typical turn-off energy as a
function of junction temperature
(inductive load,
V
CE
=600V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=20A,
R
G
=29
,
Dynamic test circuit in Figure E)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 16. Typical turn-off energy as a
function of collector emitter
voltage
(inductive load,
T
J
=175°C,
V
GE
=0/15V,
I
C
=20A,
R
G
=29
,
Dynamic test circuit in Figure E)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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