參數(shù)資料
型號(hào)： IHW20N120R
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
中文描述： 反向開(kāi)展與IGBT的單片體二極管
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 357K
代理商： IHW20N120R
IHW20N120R
Soft Switching Series
Power Semiconductors
8
Rev. 2.4 May 06
V
G
,
G
-
E
0nC
50nC
100nC
0V
5V
10V
960V
240V
c
C
0V
10V
20V
10pF
100pF
1nF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
GATE CHARGE
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 18. Typical capacitance as a function
of collector-emitter voltage
(
V
GE
=0V,
f
= 1 MHz)
Figure 17. Typical gate charge
(
I
C
=20 A)
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms 100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
Z
t
,
T
1μs
10μs
100μs
1ms
10ms 100ms
10
-2
K/W
10
-1
K/W
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D
=0.5
t
P
,
PULSE WIDTH
t
P
,
PULSE WIDTH
Figure 19. IGBT transient thermal
resistance
(
D = t
p
/
T
)
Figure 20. Typical Diode transient thermal
impedance as a function of pulse width
(
D
=
t
P
/
T
)
R
,(K/W )
0.1649
0.1068
0.0751
0.0277
0.1305
R
1
τ
,
(s)
1.45*10
-1
1.29*10
-2
9.81*10
-4
1.04*10
-4
9.6*10
-6
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(K/W )
0.1159
0.1048
0.0864
0.0162
0.0275
R
1
τ
,
(s)
7.03*10
-2
9.49*10
-3
8.06*10
-4
9.62*10
-5
1.1*10
-5
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IHW20T120 Soft Switching Series
IHW30N100R Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N120R IGBT with monolithic body diode for soft switching Applications
IHW30N60T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode
IHW30N90T Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IHW20N120R2 功能描述:IGBT 晶體管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3 功能描述:IGBT 晶體管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IHW20N120R3FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
IHW20N135R3 功能描述:IGBT 1350V 20A 310W TO247-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:TrenchStop™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IHW20N135R3FKSA1 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*