參數(shù)資料
型號： IDT71V65802S150BGG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 7/26頁
文件大?。?/td> 970K
代理商： IDT71V65802S150BGG
6.42
IDT71V65602, IDT71V65802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT
Feature, 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
15
1
2
3
4
20 30 50
100
200
tCD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
5303 drw 05
,
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (VDD = 3.3V +/-5%)
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
AC Test Conditions
(VDDQ = 2.5V)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range(1) (VDD = 3.3V +/-5%)
Figure 1. AC Test Load
AC Test Load
NOTE:
1. The
LBO pin will be internally pulled to VDD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to Vss if not actively driven.
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = fMAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/tCYC; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os VHD = VDDQ – 0.2V, VLD = 0.2V. For other inputs VHD = VDD – 0.2V, VLD = 0.2V.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|ILI|
Input Leakage Current
VDD = Max., VIN = 0V to VDD
___
5 A
|ILI|
LBO Input Leakage Current(1)
VDD = Max., VIN = 0V to VDD
___
30
A
|ILO|
Output Leakage Current
VOUT = 0V to VDDQ, Device Deselected
___
5 A
VOL
Output Low Voltage
IOL = +6mA, VDD = Min.
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -6mA, VDD = Min.
2.0
___
V
5303 tbl 21
Sym bol
Param eter
Test Conditions
150M Hz
133M Hz
100M Hz
Unit
Com 'l
Ind
Com 'l
Ind
Com 'l
Ind
IDD
Operating Po we r
Sup ply Current
De vice Se le cte d , Outputs Op e n,
ADV/
LD = X, VDD = Max.,
V IN > VIH or < VIL, f = fMA X
(2 )
325
345
300
320
250
270
mA
ISB 1
CM OS S tandb y Po we r
Sup ply Current
De vice De se le cte d, O utp uts O p en,
V DD = M ax ., VIN > VHD or < VLD ,
f = 0(2,3)
40
60
40
60
40
60
mA
ISB 2
Clo ck Running Po we r
Sup ply Current
De vice De se le cte d, O utp uts O p en,
V DD = M ax ., VIN > VHD or < VLD ,
f = fMA X (2.3)
120
140
110
130
100
120
mA
ISB 3
Id le Po we r
Sup ply Current
De vice Se le cte d , Outputs Op e n,
CEN > VIH, VDD = Max.,
V IN > VHD or < VLD , f = fMA X(2,3)
40
60
40
60
40
60
mA
Izz
Full Sleep Mode
Sup ply Current
De vice Se le cte d , Outputs Op e n,
CEN ≤ VIL, VDD = Max., ZZ ≥ VHD
V IN
≥ VHD or ≤ VLD , f = fMA X(2,3)
40
60
40
60
40
60
mA
5303 tb l 2 2
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
0 to 2.5V
2ns
VDDQ/2
See Figure 1
5303 tbl 23
VDDQ/2
50
I/O
Z0 =50
5303 drw 04 ,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65802S150BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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