參數(shù)資料
型號： IDT71V65802S150BGG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大小： 970K
代理商： IDT71V65802S150BGG
6.42
18
IDT71V65602, IDT71V65802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT
Feature, 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
D
(A
1)
represents
the
first
input
to
the
external
address
A
1.
D
(A
2)
represents
the
first
input
to
the
external
address
A
2;
D
(A
2+1
)represents
the
next
input
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
A
2,
etc.
where
address
bits
A
0and
A
1are
advancing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE2
is
HIGH.
3.
Burst
ends
when
new
address
and
control
are
loaded
into
the
SRAM
by
sampling
ADV/
LD
LOW.
4.
R
/W
is
don't
care
when
the
SRAM
is
bursting
(ADV/
LD
sampled
HIGH).
The
nature
of
the
burst
access
(Read
or
Write)
is
fixed
by
the
state
of
the
R/
W
signal
when
new
address
and
control
are
loaded
into
the
SRAM.
5.
Individual
Byte
Write
signals
(BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
two
cycles
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
Timing Waveform of Write Cycles(1,2,3,4,5)
tH
E
tS
E
R
/W
A
1
A
2
C
LK
C
E
N
A
D
V
/L
D
A
D
R
E
S
O
E
D
A
TA
IN
tH
D
tS
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
A
D
V
tS
A
D
V
tH
W
tS
W
tH
A
tS
A
tH
C
tS
C
B
u
rst
P
ip
el
in
e
W
ri
te
P
ip
eli
n
e
W
ri
te
P
ipeli
n
e
W
ri
te
tH
B
tS
B
(B
u
rst
W
ra
p
s
ar
ou
n
d
to
in
it
ia
l
s
ta
te
)
tH
D
tS
D
(C
E
N
h
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,
e
lim
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e
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cu
rr
e
n
t
L
-H
cl
o
c
k
ed
ge)
(2
)
D
(A
2+
2
)
D
(A
2+
3
)
D
(A
1
)
D
(A
2
)
D
(A
2
)
53
03
dr
w
07
B
W
1
-
B
W
4
C
E
1,
C
E
2
D
(A
2+
1
)
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V65802S150BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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