參數(shù)資料
型號： IDT71V65802S150BGG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 3/26頁
文件大?。?/td> 970K
代理商： IDT71V65802S150BGG
6.42
IDT71V65602, IDT71V65802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT
Feature, 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
11
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE = L is defined as CE1 = L, CE2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE1 = H, CE2 = H or CE2 = L.
Read Operation(1)
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles(2)
NOTES:
1.
CE = L is defined as CE1 = L, CE2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE1 = H, CE2 = H or CE2 = L.
2. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE(1)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
H
L
X
Load read
n+1
X
H
X
L
X
Burst read
n+2
A1
HL
L
X
L
Q0
Load read
n+3
X
L
H
L
X
L
Q0+1
Deselect or STOP
n+4
X
H
XL
Q1
NOOP
n+5
A2
H
L
X
Z
Load read
n+6
X
H
X
L
X
Z
Burst read
n+7
X
L
H
L
X
L
Q2
Deselect or STOP
n+8
A3
L
LLLL
Q2+1
Load write
n+9
X
H
X
L
X
Z
Burst write
n+10
A4
L
LLL
X
D3
Load write
n+11
X
L
H
L
X
D3+1
Deselect or STOP
n+12
X
H
X
L
X
D4
NOOP
n+13
A5
L
LLL
X
Z
Load write
n+14
A6
H
L
X
Z
Load read
n+15
A7
L
LLL
X
D5
Load write
n+16
X
H
X
LLL
Q6
Burst write
n+17
A8
HL
L
X
D7
Load read
n+18
X
H
X
L
X
D7+1
Burst read
n+19
A9
L
LLLL
Q8
Load write
5303 tbl 12
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
H
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
L
X
Clock Setup Valid
n+2
X
XXX
L
Q0
Contents of Address A0 Read Out
5303 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65802S150BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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