參數資料
型號: IDT71V65802S150BGG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, GREEN, PLASTIC, BGA-119
文件頁數: 5/26頁
文件大?。?/td> 970K
代理商: IDT71V65802S150BGG
6.42
IDT71V65602, IDT71V65802, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT
Feature, 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
13
Read Operation with Clock Enable Used(1)
Write Operation with Clock Enable Used(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE = L is defined as CE1 = L, CE2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE1 = H, CE2 = H or CE2 = L.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2.
CE = L is defined as CE1 = L, CE2 = L and CE2 = H. CE = H is defined as CE1 = H, CE2 = H or CE2 = L.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
H
L
X
Address and Control meet setup
n+1
X
H
X
Clock n+1 Ignored
n+2
A1
H
L
XXX
Clock Valid
n+3
X
H
X
L
Q0
Clock Ignored, Data Q0 is on the bus.
n+4
X
H
X
L
Q0
Clock Ignored, Data Q0 is on the bus.
n+5
A2
HL
L
X
L
Q0
Address A0 Read out (bus trans.)
n+6
A3
HL
L
X
L
Q1
Address A1 Read out (bus trans.)
n+7
A4
HL
L
X
L
Q2
Ad dress A2 Read out (bus trans.)
5303 tbl 17
Cycle
Address
R/
W
ADV
/LD
CE(2)
CEN
BWx
OE
I/O
Comments
nA0
L
X
Address and Control meet setup.
n+1
X
H
X
Clock n+1 Ignored.
n+2
A1
L
X
Clock Valid.
n+3
X
H
X
Clock Ignored.
n+4
X
H
X
Clock Ignored.
n+5
A2
L
LLL
X
D0
Write Data D0
n+6
A3
L
LLL
X
D1
Write Data D1
n+7
A4
L
LLL
X
D2
Write Data D2
5303 tbl 18
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71V65802S150BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65802S150PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040