參數(shù)資料
型號： IDT71V416YL15PHI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IDT71V416YL15PHI8
6.42
IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 (CS Controlled Timing)(1,3)
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW
CS, LOW BHE or BLE, and a LOW WE.
2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
3. If the
CS LOW or BHE and BLE LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
Timing Waveform of Write Cycle No. 3
(BHE, BLE Controlled Timing)(1,3)
ADDRESS
CS
DATAIN
6442 drw 0
DATAIN VALID
tWC
tAS
(2)
tCW
tWR
WE
tAW
DATAOUT
tDW
tDH
BHE, BLE
tBW
tWP
ADDRESS
CS
DATAIN
6442 drw 1
DATAIN VALID
tWC
tAS
(2)
tCW
tWR
WE
tAW
DATAOUT
tDW
tDH
BHE, BLE
tBW
tWP
相關PDF資料
PDF描述
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71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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