參數(shù)資料
型號： IDT71V416YL15PHI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 101K
代理商： IDT71V416YL15PHI8
6.42
IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
3
Absolute Maximum Ratings(1)
Recommended Operating
Temperature and Supply
Voltage
Recommended DC Operating
Conditions
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
NOTES:
1. VIH (max.) = VDD+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
2. VIL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
Truth Table(1)
NOTE:
1. H = VIH, L = VIL, X = Don't care.
Symbol
Rating
Value
Unit
VDD
Supply Voltage Relative to
VSS
-0.5 to +4.6
V
VIN, VOUT
Terminal Voltage Relative to
VSS
-0.5 to VDD+0.5
V
TBIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
oC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +125
oC
PT
Power Dissipation
1
W
IOUT
DC Output Current
50
mA
6442 tbl 04
Grade
Temperature
VSS
VDD
Commercial
0OC to +70OC
0V
See Below
Industrial
–40OC to +85OC
0V
See Below
6442 tbl 05
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VDD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
VSS
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage
2.0
____
VDD+0.3
(1)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.3
(2)
____
0.8
V
6442 tbl 06
CS
OE
WE
BLE
BHE
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
Function
X
High-Z
Deselected - Standby
LL
H
L
H
DATAOUT
High-Z
Low Byte Read
LL
H
L
High-Z
DATAOUT
High Byte Read
LL
H
L
DATAOUT
Word Read
LX
L
DATAIN
Word Write
L
X
LLH
DATAIN
High-Z
Low Byte Write
LX
LH
L
High-Z
DATAIN
High Byte Write
L
H
X
High-Z
Outputs Disabled
L
X
H
High-Z
Outputs Disabled
6442 tbl 03
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65802S150BGG 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V416YL15Y 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V416YL15Y8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V416YS10BE 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416YS10BE8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416YS10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*