參數(shù)資料
型號： IDT71V416YL15PHI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： IDT71V416YL15PHI8
6.42
2
IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
*Pin 28 can either be a NC or connected to Vss
Top View
Pin Configurations - SOJ/TSOP
Pin Descriptions
SOJ Capacitance
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
I/O 7
A9
A8
A7
A6
A5
WE
I/O 6
I/O 5
I/O 4
VSS
VDD
I/O 3
I/O 2
I/O 1
I/O 0
CS
A4
A3
A2
A1
A0
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A16
A15
OE
BHE
BLE
I/O 15
I/O 14
I/O 13
I/O 12
VSS
VDD
I/O 11
I/O 10
I/O 9
I/O 8
A14
A13
A12
A11
A10
A17
NC*
SO44-1
SO44-2
6442 drw 02
A0 - A17
Address Inputs
Input
CS
Chip Select
Input
WE
Write Enable
Input
OE
Output Enable
Input
BHE
High Byte Enable
Input
BLE
Low Byte Enable
Input
I/O0 - I/O15
Data Input/Output
I/O
VDD
3.3V Power
Pwr
VSS
Ground
Gnd
6442 tbl 01
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 3dV
7
pF
CI/O
I/O Capacitance
VOUT = 3dV
8
pF
6442 tbl 02
1
2
3
4
5
6
A
BLE
OE
A0
A1
A2
NC
B
I/O0
BHE
A3
A4
CS
I/O8
C
I/O1
I/O2
A5
A6
I/O10
I/O9
D
VSS
I/O3
A17
A7
I/O11
VDD
E
VDD
I/O4
NC
A16
I/O12
VSS
F
I/O6
I/O5
A14
A15
I/O13
I/O14
G
I/O7
NC
A12
A13
WE
I/O15
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
6442 tbl 11
Pin Configurations - 48 BGA
48 BGA Capacitance
(TA = +25°C, f = 1.0MHz)
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 3dV
6
pF
CI/O
I/O Capacitance
VOUT = 3dV
7
pF
6442 tbl 02b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65802S150BGG 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V416YL15Y 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V416YL15Y8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V416YS10BE 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416YS10BE8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V416YS10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*