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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V416YL15PHI8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | IDT71V416YL15PHI8 |
6.42
IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
5
71V416S/L10
(2)
71V416S/L12
71V416S/L15
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
tAA
Address Access Time
____
10
____
12
____
15
ns
tACS
Chip Select Access Time
____
10
____
12
____
15
ns
tCLZ
(1)
Chip Select Low to Output in Low-Z
4
____
4
____
4
____
ns
tCHZ
(1)
Chip Select High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
tOE
Output Enable Low to Output Valid
____
5
____
6
____
7
ns
tOLZ
(1)
Output Enable Low to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
tOHZ
(1)
Output Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
tOH
Output Hold from Address Change
4
____
4
____
4
____
ns
tBE
Byte Enable Low to Output Valid
____
5
____
6
____
7
ns
tBLZ
(1)
Byte Enable Low to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
ns
tBHZ
(1)
Byte Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
7
ns
WRITE CYCLE
tWC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
ns
tAW
Address Valid to End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
tCW
Chip Select Low to End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
tBW
Byte Enable Low to End of Write
8
____
8
____
10
____
ns
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
tWR
Address Hold from End of Write
0
____
0
____
0
____
ns
tWP
Write Pulse Width
8
____
8
____
10
____
ns
tDW
Data Valid to End of Write
5
____
6
____
7
____
ns
tDH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
ns
tOW
(1)
Write Enable High to Output in Low-Z
3
____
3
____
3
____
ns
tWHZ
(1)
Write Enable Low to Output in High-Z
____
6
____
7
____
7
ns
6442 tbl 10
Timing Waveform of Read Cycle No. 1(1,2,3)
AC Electrical Characteristics
(VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
NOTE:
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. Low power 10ns (L10) speed 0C to +70C temperature range only.
DATAOUT
ADDRESS
6442d06
tRC
tAA
tOH
DATAOUT VALID
PREVIOUS DATAOUT VALID
tOH
NOTES:
1.
WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS is LOW.
3.
OE, BHE, and BLE are LOW.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V65802S150BGG | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119 |
| IDT71V65903S85BQG | 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 71V65703S75PF8 | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 71V65703S75BGG | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| IDT71V65903S80B | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71V416YL15Y8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416YS10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416YS10BE8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416YS10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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