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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V416YL15PHI8 |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | IDT71V416YL15PHI8 |
OCTOBER 2003
DSC-6442/00
1
2003 Integrated Device Technology, Inc.
Features
x
256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
x
JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.
x
Equal access and cycle times
– Commercial and Industrial: 10/12/15ns
x
One Chip Select plus one Output Enable pin
x
Bidirectional data inputs and outputs directly
LVTTL-compatible
x
Low power consumption via chip deselect
x
Upper and Lower Byte Enable Pins
x
Single 3.3V power supply
x
Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-
pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,
9mm x 9mm package.
Description
The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized
as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability
CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-
vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-
speed memory needs.
The IDT71V416 has an output enable pin which operates as fast as
5ns,withaddressaccesstimesasfastas10ns.Allbidirectionalinputsand
outputs of the IDT71V416 are LVTTL-compatible and operation is from a
single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring
no clocks or refresh for operation.
The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a
44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x
9mmpackage.
Functional Block Diagram
Output
Enable
Buffer
Address
Buffers
Chip
Select
Buffer
Write
Enable
Buffer
Byte
Enable
Buffers
OE
A0 - A17
Row / Column
Decoders
CS
WE
BHE
BLE
4,194,304-bit
Memory
Array
Sense
Amps
and
Write
Drivers
16
High
Byte
Output
Buffer
High
Byte
Write
Buffer
Low
Byte
Write
Buffer
Low
Byte
Output
Buffer
8
I/O 1
I/O 8
I/O 7
I/O 0
6442 drw 01
3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
IDT71V416YS
IDT71V416YL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V65802S150BGG | 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119 |
| IDT71V65903S85BQG | 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 71V65703S75PF8 | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 71V65703S75BGG | 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| IDT71V65903S80B | 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V416YL15Y | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416YL15Y8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V416YS10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416YS10BE8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416YS10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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