參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V416YL15PHI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 101K
代理商： IDT71V416YL15PHI8
6.42
4
IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM
4 Meg (256K x 16-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Test Conditions
AC Test Loads
Figure 3. Output Capacitive Derating
Figure 1. AC Test Load
Figure 2. AC Test Load
(for tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, and tWHZ)
*Including jig and scope capacitance.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
1.5ns
1.5V
Figures 1,2 and 3
6442 tbl 09
+1.5V
50
I/O
Z0 =50
6442 drw 03
30pF
6442 drw 04
320
350
5pF*
DATA OUT
3.3V
IDT71V416S/71V416L
1
2
3
4
5
6
7
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
tAA, tACS
(Typical, ns)
CAPACITANCE (pF)
8
6442 drw 05
DC Electrical Characteristics
(VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
DC Electrical Characteristics(1, 2, 3)
(VDD = Min. to Max., VLC = 0.2V, VHC = VDD – 0.2V)
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and VDD -0.2V (High).
3. Power specifications are preliminary.
4. fMAX = 1/tRC (all address inputs are cycling at fMAX); f = 0 means no address input lines are changing.
5. Standard power 10ns (S10) speed grade only.
Symbol
Parameter
71V416S/L10
71V416S/L12
71V416S/L15
Unit
Com'l.
Ind.
(5)
Com'l.
Ind.
Com'l.
Ind.
ICC
Dynamic Operating Current
CS < VLC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX(4)
S
200
180
170
mA
L
180
—
170
160
ISB
Dynamic Standby Power Supply Current
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX(4)
S
7070
6060
5050
mA
L
50
—
45
40
ISB1
Full Standby Power Supply Current (static)
CS > VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = 0(4)
S
2020
mA
L
10
—
10
6442 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Conditions
IDT71V416
Unit
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current
VCC = Max., VIN = VSS to VDD
___
5 A
|ILO|
Output Leakage Current
VDD = Max.,
CS = VIH, VOUT = VSS to VDD
___
5 A
VOL
Output Low Voltage
IOL = 8mA, VDD = Min.
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA, VDD = Min.
2.4
___
V
6442 tbl 07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65802S150BGG 512K X 18 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA119
IDT71V65903S85BQG 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
71V65703S75PF8 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100
71V65703S75BGG 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
IDT71V65903S80B 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
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