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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP1100BGA-100 |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-272 |
| 文件頁數(shù)： | 32/32頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | STP1100BGA-100 |
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9
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
STP1100BGA
Preliminary
December 1997
Sun Microsystems, Inc
Miscellaneous Signals
Signal
Type
Note
Description
INPUT_RESET_L
In
4.
Power-up reset input pin.
BM_SEL[1:0]
In
4.
Boot Mode Select.
00 = 32-bit ash memory on local memory bus (cacheable after boot).
01 = 8-bit ash memory on local memory bus (cacheable after boot).
10 = PCI memory fetch from addresses f000.0000 - f0ff.ffff (non-cacheable).
11 = PCI memory fetch from addresses fffe.0000 - ffff.ffff (non-cacheable).
After booting from PCI (BM_SEL[1:0] = 10 or 11) the Flash memory defaults to the 32-bit
ash memory interface.
EXT_EVENT_L
In
5.
Input pin that can be used to stop internal clocks based on an external trigger.
INT_EVENT_L
Out
3.
Output pin that can be used to trigger external events based on an internal trigger.
IIDDTN
In
7.
Reserved for test Tie to VSS1 for normal operation.
TN
In
7.
Reserved for test. Tie to VDD1 for normal operation.
THERM_D
In
7.
Reserved for test. Tie to VSS1 for normal operation
SCAN_MODE
In
7.
Reserved for test. Tie to VSS1 for normal operation.
PROCMON
Out
Reserved for test. Do Not Connect.
VDD4, VSS4
In
PLL power/ground.
VDD2,VDD3
In
Reference power.
VDD1, VSS1
In
Core power/ground.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
| STP2024PQFP | 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120 |
| STP2200ABGA-100 | 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225 |
| STP2202ABGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP110N10F7 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP110N55F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP110N8F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP110N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP1141 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STP1141/1151 系列超低壓差，帶開關(guān)端集成穩(wěn)壓器 |
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