參數(shù)資料
型號： HYE18M256320CF-7.5
廠商： QIMONDA AG
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA90
封裝： 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-90
文件頁數(shù)： 7/26頁
文件大小： 1609K
代理商： HYE18M256320CF-7.5
Internet Data Sheet
Rev.1.44, 2007-07
15
06262007-JK8G-48BV
HY[B/E]18M256[16/32]0CF
256-Mbit DDR Mobile-RAM
TABLE 10
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note1)2)
1) 0
°C ≤ T
C ≤ 70 °C (comm.); -25°C ≤ TC ≤ 85 °C (ext.)All voltages referenced to VSS. VSS and VSSQ must be at same potential.
2) See Table 12 and Figure 4 for overshoot and undershoot definition.
Min.
Max.
Power Supply Voltage
V
DD
1.70
1.95
V
–
Power Supply Voltage for DQ Output Buffer
V
DDQ
1.70
1.95
V
–
Input leakage current
I
IL
-1.0
1.0
μΑ
–
Output leakage current
I
OL
-1.0
1.0
μA–
Address and Command Inputs (BA, BA1, CKE, CS, RAS, CAS, WE)
Input high voltage
V
IH
0.8
× V
DDQ
V
DDQ + 0.3
V
–
Input low voltage
V
IL
-0.3
0.2
× V
DDQ
V–
Clock Inputs (CK, CK)
DC input voltage
V
IN
-0.3
V
DDQ + 0.3
V
–
DC input differential voltage
V
ID(DC)
0.4
× V
DDQ
V
DDQ + 0.6
V
3)
V
ID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level on CK.
AC input differential voltage
V
ID(AC)
0.6
× V
DDQ
V
DDQ + 0.6
V
AC differential cross point voltage
V
IX
0.4
× V
DDQ
0.6
× V
DDQ
V
4)
4) The value of VIX is expected to be equal to 0.5 x VDDQ and must track variations in the DC level.
Data Inputs (DQ, DM, DQS)
DC input high voltage
V
IHD(DC)
0.7
× V
DDQ
V
DDQ + 0.3
V
–
DC input low voltage
V
ILD(DC)
-0.3
0.3 x
V
DDQ
V–
AC input high voltage
V
IHD(AC)
0.8
× V
DDQ
V
DDQ + 0.3
V
–
AC input low voltage
V
ILD(AC)
-0.3
0.2
× V
DDQ
V–
Data Outputs (DQ, DQS)
Output high voltage (
I
OH = -0.1 mA)
V
OH
0.9
× V
DDQ
–V
–
Output low voltage (
I
OL = 0.1 mA)
V
OL
–0.1
× V
DDQ
V–
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PDF描述
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